Références fabricant

Nexperia PBHV8215Z,115 Transistor, 2 A NPN, 150 V, 3-Pin SOT-223

N° de stock RS:: 165-8543
Référence fabricant:: PBHV8215Z,115
Fabricant:: Nexperia

Nexperia PBHV8215Z,115 Transistor, 2 A NPN, 150 V, 3-Pin SOT-223

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N° de stock RS:: 165-8543
Référence fabricant:: PBHV8215Z,115
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Product Type	Transistor
	Maximum DC Collector Current (Idc)	2 A
	Transistor Polarity	NPN
	Maximum Collector Emitter Voltage (Vceo)	150 V
	Pin Count	3
	Package Type	SOT-223 (SC-73)
	Automotive Standard	AEC-Q101
	Height	1.8 mm
	Length	6.7 mm
	Maximum Collector Base Voltage (VCBO)	350 V
	Maximum Emitter Base Voltage (VEBO)	6 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	1.45 W
	Maximum Transition Frequency (ft)	100 MHz
	Minimum DC Current Gain (hFE)	100
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Series	PBHV8215Z
	Standards/Approvals	No
	Transistor Configuration	Single
	Width	7.3 mm

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Product Type Transistor
	Maximum DC Collector Current (Idc) 2 A
	Transistor Polarity NPN
	Maximum Collector Emitter Voltage (Vceo) 150 V
	Pin Count 3
	Package Type SOT-223 (SC-73)
	Automotive Standard AEC-Q101
	Height 1.8 mm
	Length 6.7 mm
	Maximum Collector Base Voltage (VCBO) 350 V
	Maximum Emitter Base Voltage (VEBO) 6 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 1.45 W
	Maximum Transition Frequency (ft) 100 MHz
	Minimum DC Current Gain (hFE) 100
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Series PBHV8215Z
	Standards/Approvals No
	Transistor Configuration Single
	Width 7.3 mm

Pays d'origine :: CN

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in Compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

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