onsemi NSS60600MZ4T1G Transistor, -6 A PNP, -60 V, 4-Pin SOT-223
- N° de stock RS:
- 790-5476
- Référence fabricant:
- NSS60600MZ4T1G
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 20 unités)*
10,28 €
(TVA exclue)
12,44 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 900 unité(s) expédiée(s) à partir du 11 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 - 180 | 0,514 € | 10,28 € |
| 200 - 480 | 0,444 € | 8,88 € |
| 500 + | 0,384 € | 7,68 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 790-5476
- Référence fabricant:
- NSS60600MZ4T1G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -6A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -60V | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 100V dc | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Maximum Transition Frequency ft | 1MHz | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 800mW | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | -6V | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 6.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.75mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -6A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -60V | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V dc | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Maximum Transition Frequency ft 1MHz | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 800mW | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO -6V | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 6.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.75mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Liens connexes
- onsemi Transistor -60 V, 4-Pin SOT-223
- onsemi NSV60600MZ4T1G Transistor -60 V, 4-Pin SOT-223
- onsemi Bipolar Transistor -60 V, 4-Pin SOT-223
- onsemi PZT2907AT1G Bipolar Transistor -60 V, 4-Pin SOT-223
- onsemi Transistor -60 V, 4-Pin SOT-223
- onsemi Transistor -60 V, 4-Pin SOT-223
- onsemi PZT751T1G Transistor -60 V, 4-Pin SOT-223
- onsemi NZT660 Transistor -60 V, 4-Pin SOT-223