Infineon Bipolar Transistor, 150 mA NPN, 20 V, 4-Pin SOT-143
- N° de stock RS:
- 258-6989
- Référence fabricant:
- BFP196E6327HTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
318,00 €
(TVA exclue)
384,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 21 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,106 € | 318,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-6989
- Référence fabricant:
- BFP196E6327HTSA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | Bipolar Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | 150mA | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | 20V | |
| Package Type | SOT-143 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | NPN | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 700mW | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Transistor Polarity | NPN | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 70 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 2V | |
| Maximum Transition Frequency ft | 7.5GHz | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 4 | |
| Height | 1mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Series | BFP196 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type Bipolar Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc 150mA | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 20V | ||
Package Type SOT-143 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration NPN | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 700mW | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Transistor Polarity NPN | ||
Minimum DC Current Gain hFE 70 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 2V | ||
Maximum Transition Frequency ft 7.5GHz | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 4 | ||
Height 1mm | ||
Length 2.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Series BFP196 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon NPN silicon RF transistor is for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5 GHz. This transistor is used for LNA in RF front end and wireless communications.
Power amplifier for DECT and PCN systems
Pb free RoHS compliant package
Liens connexes
- Infineon BFP196E6327HTSA1 Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-143
- Infineon Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-143
- Infineon BFP181E7764HTSA1 Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-143
- Infineon Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-143
- Infineon BFP193E6327HTSA1 Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-143
- Infineon RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon BFP196WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor 20 V, 4-Pin SOT-343
- Infineon RF Bipolar Transistor 12 V, 4-Pin SOT-343