Références fabricant

onsemi FDA59N30 Digital Transistor N-Channel Through Hole TO-3P, 3-Pin

N° de stock RS:: 186-8132
Référence fabricant:: FDA59N30
Fabricant:: onsemi

onsemi FDA59N30 Digital Transistor N-Channel Through Hole TO-3P, 3-Pin

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

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N° de stock RS:: 186-8132
Référence fabricant:: FDA59N30
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	Digital Transistor
	Package Type	TO-3P
	Mount Type	Through Hole
	Transistor Polarity	N-Channel
	Maximum Power Dissipation Pd	500W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Pin Count	3
	Height	18.9mm
	Width	5mm
	Series	UniFETTM
	Length	16.2mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type Digital Transistor
	Package Type TO-3P
	Mount Type Through Hole
	Transistor Polarity N-Channel
	Maximum Power Dissipation Pd 500W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Pin Count 3
	Height 18.9mm
	Width 5mm
	Series UniFETTM
	Length 16.2mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet FDA59N30

Pays d'origine :: CN

UniFETTM MOSFET is a high voltage MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.

RDS(on) = 56mΩ ( Max.)@ VGS = 10V, ID = 29.5A

Low gate charge ( Typ. 77nC)

Low Crss ( Typ. 80pF)

Applications

This product is general usage and suitable for many different applications.

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