Références fabricant

onsemi Digital Transistor, 450 V N-Channel 23 A Surface, 2-Pin

N° de stock RS:: 186-7394
Référence fabricant:: FGD3245G2-F085
Fabricant:: onsemi

onsemi Digital Transistor, 450 V N-Channel 23 A Surface, 2-Pin

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

2 620,00 €

(TVA exclue)

3 170,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2500 +	1,048 €	2 620,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 186-7394
Référence fabricant:: FGD3245G2-F085
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	Digital Transistor
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	450V
	Mount Type	Surface
	Transistor Configuration	Single
	Maximum Power Dissipation Pd	150W
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.85V
	Transistor Polarity	N-Channel
	Maximum Continuous Collector Current Ic	23A
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Pin Count	2
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	2.26mm
	Length	6.73mm
	Series	EcoSPARK-2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type Digital Transistor
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 450V
	Mount Type Surface
	Transistor Configuration Single
	Maximum Power Dissipation Pd 150W
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.85V
	Transistor Polarity N-Channel
	Maximum Continuous Collector Current Ic 23A
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Pin Count 2
	Standards/Approvals RoHS
	Height 2.26mm
	Length 6.73mm
	Series EcoSPARK-2
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet FGD3245G2-F085

Pays d'origine :: PH

The FGB3245G2_F085 and FGD3245G2 are N-channel IGBTs designed in Fairchild's EcoSPARK® 2 technology, which helps in eliminating external protection circuitry. The technology is optimized for driving the coil in the harsh environment of automotive ignition systems and offers outstanding Vsat and SCIS Energy capability also at elevated operating temperatures. The logic level gate input is ESD protected and features an integrated gate resistor. An integrated zener-circuitry clamps the IGBT's collecter- to-emitter voltage at 450 V, which enables systems requiring a higher spark voltage.

SCIS Energy = 320 mJ at TJ = 25°C

Logic Level Gate Drive

Low Saturation Voltage

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