onsemi Digital Transistor N-Channel Surface TSOT-23, 6-Pin
- N° de stock RS:
- 186-7149
- Référence fabricant:
- FDC8601
- Fabricant:
- onsemi
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|---|---|---|
| 3000 + | 0,538 € | 1 614,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 186-7149
- Référence fabricant:
- FDC8601
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Digital Transistor | |
| Package Type | TSOT-23 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.6W | |
| Transistor Polarity | N-Channel | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Pin Count | 6 | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Digital Transistor | ||
Package Type TSOT-23 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.6W | ||
Transistor Polarity N-Channel | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Pin Count 6 | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Height 1.1mm | ||
Length 3mm | ||
Automotive Standard No | ||
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced Power Trench® process that has been optimized for rDS(on), switching performance and ruggedness.
Max rDS(on) = 109 mΩat VGS = 10 V, ID = 2.7 A
Max rDS(on) = 176 mΩat VGS = 6 V, ID = 2.1 A
High performance trench technology for extremely low rDS(on)
High power and current handling capability in a widely used surface mount package
Fast switching speed
Applications
This product is general usage and suitable for many different applications.
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