onsemi MJE200G Transistor, 10 A NPN, 40 V, 3-Pin TO-225

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184-4894
Référence fabricant:
MJE200G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

10A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

40V

Package Type

TO-225

Mount Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

25V dc

Transistor Polarity

NPN

Minimum DC Current Gain hFE

10

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

8V dc

Maximum Power Dissipation Pd

15W

Maximum Transition Frequency ft

10MHz

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

3.25mm

Series

MJE200

Height

27.1mm

Length

8mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Bipolar Power Transistor is designed for low voltage, low power and high gain audio amplifier applications. The MJE200 (NPN) and MJE210 (PNP) are complementary devices.

High DC Current Gain

Low Collector-Emitter Saturation Voltage

High Current-Gain - Bandwidth Product

Annular Construction for Low Leakage

These Devices are Pb-Free

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