onsemi MJH6287G Transistor, -40 A PNP, -100 V, 3-Pin TO-218
- N° de stock RS:
- 184-1193
- Référence fabricant:
- MJH6287G
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
10,91 €
(TVA exclue)
13,202 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 60 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 5,455 € | 10,91 € |
| 20 + | 4,705 € | 9,41 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 184-1193
- Référence fabricant:
- MJH6287G
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -40A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -100V | |
| Package Type | TO-218 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | 100V | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 100 | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | 5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Maximum Transition Frequency ft | 1MHz | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.26mm | |
| Height | 33.15mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.3mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -40A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -100V | ||
Package Type TO-218 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO 100V | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Minimum DC Current Gain hFE 100 | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO 5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Maximum Transition Frequency ft 1MHz | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.26mm | ||
Height 33.15mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.3mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching motor control applications.
Switching Regulators Collector-Emitter Voltage VCEV = 1000 Vdc
Inverters
Fast Turn-Off Times
Solenoids 80 ns Inductive Fall Time 100 C (Typ)
Relay Drivers 120 ns Inductive Crossover Time 100 C (T
Motor Controls 800 ns Inductive Storage Time 100 C (T
Deflection Circuits
100 C Performance Specified for: Reverse-Biased SOA with Inductive Load Switching Times with Inductive Loads Saturation Voltages Leakage Currents
Extended FBSOA Rating Using Ultra-fast Rectifiers
Extremely High RBSOA Capability
Liens connexes
- onsemi Transistor -100 V, 3-Pin TO-218
- onsemi BDV64BG Bipolar Transistor -100 V, 3-Pin TO-218
- onsemi Transistor -40 V, 3-Pin TO-92
- onsemi 2N3906BU Transistor -40 V, 3-Pin TO-92
- onsemi Transistor 65 V, 3-Pin TO-92
- onsemi Transistor -45 V, 3-Pin TO-92
- onsemi MJH11020G Transistor 250 V, 3-Pin TO-218
- onsemi Transistor -100 V, 3-Pin TO-92