onsemi MJD2955T4G Transistor, -10 A PNP, -60 V, 3-Pin DPAK

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N° de stock RS:
163-0636
Référence fabricant:
MJD2955T4G
Fabricant:
onsemi
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Marque

onsemi

Product Type

Transistor

Maximum DC Collector Current Idc

-10A

Maximum Collector Emitter Voltage Vceo

-60V

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage VCBO

70V dc

Minimum DC Current Gain hFE

5

Maximum Emitter Base Voltage VEBO

5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Transition Frequency ft

500kHz

Maximum Power Dissipation Pd

20W

Transistor Polarity

PNP

Pin Count

3

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

10.41mm

Series

MJD2955

Width

2.38mm

Standards/Approvals

No

Length

6.73mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
MY
The Bipolar Power Transistor is designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. The MJD2955 (PNP) and MJD3055 (NPN) are complementary devices.

Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)

Straight Lead Version in Plastic Sleeves ("-1" Suffix)

Lead Formed Version Available in 16 mm Tape and Reel ("T4" Suffix)

Electrically Similar to MJE2955 and MJE3055

DC Current Gain Specified to 10 Amperes

High Current Gain-Bandwidth Product fT = 2.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc

NJV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements, PPAP capable

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