Nexperia PHPT60610PYX Transistor, -10 A PNP, -60 V, 5-Pin SOT-669
- N° de stock RS:
- 151-3141
- Référence fabricant:
- PHPT60610PYX
- Fabricant:
- Nexperia
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
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| 125 - 225 | 0,582 € | 14,55 € |
| 250 - 600 | 0,534 € | 13,35 € |
| 625 - 1225 | 0,509 € | 12,73 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 151-3141
- Référence fabricant:
- PHPT60610PYX
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Product Type | Transistor | |
| Maximum DC Collector Current Idc | -10A | |
| Maximum Collector Emitter Voltage Vceo | -60V | |
| Package Type | SOT-669 | |
| Mount Type | Surface | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Maximum Collector Base Voltage VCBO | -60V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Transition Frequency ft | 85MHz | |
| Maximum Emitter Base Voltage VEBO | -8V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 25W | |
| Transistor Polarity | PNP | |
| Minimum DC Current Gain hFE | 120 | |
| Pin Count | 5 | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 4.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Series | PHPT60610PYX | |
| Height | 1.05mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Product Type Transistor | ||
Maximum DC Collector Current Idc -10A | ||
Maximum Collector Emitter Voltage Vceo -60V | ||
Package Type SOT-669 | ||
Mount Type Surface | ||
Transistor Configuration Single | ||
Maximum Collector Base Voltage VCBO -60V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Transition Frequency ft 85MHz | ||
Maximum Emitter Base Voltage VEBO -8V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 25W | ||
Transistor Polarity PNP | ||
Minimum DC Current Gain hFE 120 | ||
Pin Count 5 | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 4.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Series PHPT60610PYX | ||
Height 1.05mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
60 V, 10 A PNP high power bipolar transistor, PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60610NY
High thermal power dissipation capability
High temperature applications up to 175 °C
Reduced Printed Circuit Board (PCB) requirements comparing to transistors in DPAK
High energy efficiency due to less heat generation
AEC-Q101 qualified.
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