onsemi 1, 5.4 V Zener Diode, Single 500 mW Through Hole 2-Pin DO-35
- N° de stock RS:
- 838-656
- Référence fabricant:
- BZX79C5V1
- Fabricant:
- onsemi
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- N° de stock RS:
- 838-656
- Référence fabricant:
- BZX79C5V1
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Nominal Zener Voltage Vz | 5.4V | |
| Product Type | Zener Diode | |
| Diode Configuration | Single | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500mW | |
| Package Type | DO-35 | |
| Zener Type | Voltage Regulator | |
| Pin Count | 2 | |
| Test Current It | 5mA | |
| Maximum Zener Impedance | 60Ω | |
| Maximum Reverse Leakage Current | 2μA | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Maximum Operating Temperature | 200°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 4.56mm | |
| Series | BZX79C | |
| Diameter | 1.91mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Nominal Zener Voltage Vz 5.4V | ||
Product Type Zener Diode | ||
Diode Configuration Single | ||
Mount Type Through Hole | ||
Number of Elements per Chip 1 | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500mW | ||
Package Type DO-35 | ||
Zener Type Voltage Regulator | ||
Pin Count 2 | ||
Test Current It 5mA | ||
Maximum Zener Impedance 60Ω | ||
Maximum Reverse Leakage Current 2μA | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Maximum Operating Temperature 200°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 4.56mm | ||
Series BZX79C | ||
Diameter 1.91mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The onsemi Zener diode is designed for voltage regulation available in an axial lead package, providing reliability and efficiency in electronic circuits.
Power dissipation rated at 500 mW ensuring device longevity
Operating temperature range from -65°C to +200°C for versatile applications
Zener voltage range of 4.8 V to 5.4 V for stable voltage regulation
Leakage current maximum of 2 μA at specified conditions for improved efficiency
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