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Taiwan Semiconductor SMBJ120CA 1-Element Bi-Directional TVS Diode, 600 W, 2-Pin DO-214

N° de stock RS:: 802-2257
Référence fabricant:: SMBJ120CA
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor SMBJ120CA 1-Element Bi-Directional TVS Diode, 600 W, 2-Pin DO-214

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N° de stock RS:: 802-2257
Référence fabricant:: SMBJ120CA
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Taiwan Semiconductor
	Diode Configuration	Single
	Product Type	TVS Diode
	Direction Type	Bi-Directional
	Minimum Breakdown Voltage Vbr	133V
	Mount Type	Surface
	Package Type	DO-214
	Maximum Reverse Stand-off Voltage Vwm	120V
	Pin Count	2
	Peak Pulse Power Dissipation Pppm	600W
	Test Current It	1mA
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Clamping Voltage VC	193V
	Maximum Peak Pulse Current Ippm	3.1A
	Number of Elements per Chip	1
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	3.95mm
	Height	2.45mm
	Standards/Approvals	FBI
	Series	SMBJ
	Length	4.75mm
	Automotive Standard	No
	Maximum Reverse Leakage Current	5μA

	Sélectionner tout
	Marque Taiwan Semiconductor
	Diode Configuration Single
	Product Type TVS Diode
	Direction Type Bi-Directional
	Minimum Breakdown Voltage Vbr 133V
	Mount Type Surface
	Package Type DO-214
	Maximum Reverse Stand-off Voltage Vwm 120V
	Pin Count 2
	Peak Pulse Power Dissipation Pppm 600W
	Test Current It 1mA
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Clamping Voltage VC 193V
	Maximum Peak Pulse Current Ippm 3.1A
	Number of Elements per Chip 1
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 3.95mm
	Height 2.45mm
	Standards/Approvals FBI
	Series SMBJ
	Length 4.75mm
	Automotive Standard No
	Maximum Reverse Leakage Current 5μA

Transient Voltage Suppressors SMT Bidirectional 600W, SMBJ Series, Fairchild Semiconductor

Glass-Passivated Junction

600W Peak Pulse Power Capability

Excellent Clamping Capability

Low-Incremental Surge Resistance

Fast Response Time

UL Certificate #E258596

UL94V-0 Flammability Classification

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