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Taiwan Semiconductor SMBJ100CA 1-Element Bi-Directional TVS Diode, 600 W, 2-Pin DO-214

N° de stock RS:: 802-2244
Référence fabricant:: SMBJ100CA
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor SMBJ100CA 1-Element Bi-Directional TVS Diode, 600 W, 2-Pin DO-214

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N° de stock RS:: 802-2244
Référence fabricant:: SMBJ100CA
Fabricant:: Taiwan Semiconductor

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Taiwan Semiconductor
	Direction Type	Bi-Directional
	Product Type	TVS Diode
	Diode Configuration	Single
	Minimum Breakdown Voltage Vbr	111V
	Mount Type	Surface
	Package Type	DO-214
	Maximum Reverse Stand-off Voltage Vwm	100V
	Pin Count	2
	Peak Pulse Power Dissipation Pppm	600W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Peak Pulse Current Ippm	3.7A
	Test Current It	1mA
	Clamping Voltage VC	162V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Number of Elements per Chip	1
	Height	2.45mm
	Length	4.75mm
	Width	3.95mm
	Standards/Approvals	FBI
	Series	SMBJ
	Maximum Reverse Leakage Current	5μA
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Taiwan Semiconductor
	Direction Type Bi-Directional
	Product Type TVS Diode
	Diode Configuration Single
	Minimum Breakdown Voltage Vbr 111V
	Mount Type Surface
	Package Type DO-214
	Maximum Reverse Stand-off Voltage Vwm 100V
	Pin Count 2
	Peak Pulse Power Dissipation Pppm 600W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Peak Pulse Current Ippm 3.7A
	Test Current It 1mA
	Clamping Voltage VC 162V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Number of Elements per Chip 1
	Height 2.45mm
	Length 4.75mm
	Width 3.95mm
	Standards/Approvals FBI
	Series SMBJ
	Maximum Reverse Leakage Current 5μA
	Automotive Standard No

Transient Voltage Suppressors SMT Bidirectional 600W, SMBJ Series, Fairchild Semiconductor

Glass-Passivated Junction

600W Peak Pulse Power Capability

Excellent Clamping Capability

Low-Incremental Surge Resistance

Fast Response Time

UL Certificate #E258596

UL94V-0 Flammability Classification

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