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onsemi ESD5581N2T5G 1-Element Bi-Directional TVS Diode, 250 mW, 2-Pin X2-DFN

N° de stock RS:: 185-9076
Référence fabricant:: ESD5581N2T5G
Fabricant:: onsemi

onsemi ESD5581N2T5G 1-Element Bi-Directional TVS Diode, 250 mW, 2-Pin X2-DFN

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N° de stock RS:: 185-9076
Référence fabricant:: ESD5581N2T5G
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	TVS Diode
	Diode Configuration	Single
	Direction Type	Bi-Directional
	Minimum Breakdown Voltage Vbr	5.2V
	Mount Type	Surface
	Package Type	X2-DFN
	Maximum Reverse Stand-off Voltage Vwm	5V
	Pin Count	2
	Peak Pulse Power Dissipation Pppm	250mW
	ESD Protection	Yes
	Maximum Peak Pulse Current Ippm	6A
	Test Current It	1mA
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Clamping Voltage VC	12V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Number of Elements per Chip	1
	Standards/Approvals	No
	Height	280μm
	Width	360μm
	Length	660μm
	Automotive Standard	No
	Maximum Reverse Leakage Current	100nA

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type TVS Diode
	Diode Configuration Single
	Direction Type Bi-Directional
	Minimum Breakdown Voltage Vbr 5.2V
	Mount Type Surface
	Package Type X2-DFN
	Maximum Reverse Stand-off Voltage Vwm 5V
	Pin Count 2
	Peak Pulse Power Dissipation Pppm 250mW
	ESD Protection Yes
	Maximum Peak Pulse Current Ippm 6A
	Test Current It 1mA
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Clamping Voltage VC 12V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Number of Elements per Chip 1
	Standards/Approvals No
	Height 280μm
	Width 360μm
	Length 660μm
	Automotive Standard No
	Maximum Reverse Leakage Current 100nA

Datasheet ESD5581N2T5G

Pays d'origine :: CN

The ESD5581 is designed to protect voltage sensitive components that require low capacitance from ESD events. Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage, and fast response time, make these parts ideal for ESD protection on designs where board space is at a premium. Because of its low capacitance, the part is well suited for use in high frequency designs such as USB 2.0 high speed applications.

Low Capacitance, 5.0 μF (Max)

Low Clamping Voltage, 10 V

Small Body Outline Dimensions, 0.62 mm x 0.32 mm

Low Body Height, 0.3 mm

Stand−off Voltage, 5 V

Applications

USB ID

μSD Protection

End Products

Flash Drives

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