STMicroelectronics ESDA8P80-1U1M 1-Element Uni-Directional TVS Diode, 1.1 kW, 2-Pin QFN

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N° de stock RS:
163-7317
Référence fabricant:
ESDA8P80-1U1M
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Diode Configuration

Array

Direction Type

Uni-Directional

Product Type

TVS Diode

Minimum Breakdown Voltage Vbr

6.9V

Mount Type

Surface

Package Type

QFN

Maximum Reverse Stand-off Voltage Vwm

6.3V

Pin Count

2

Peak Pulse Power Dissipation Pppm

1.1kW

Clamping Voltage VC

13.2V

Maximum Peak Pulse Current Ippm

80A

Minimum Operating Temperature

-55°C

Test Current It

1mA

ESD Protection

Yes

Maximum Operating Temperature

150°C

Number of Elements per Chip

1

Length

1.7mm

Height

0.55mm

Standards/Approvals

No

Width

1.1mm

Automotive Standard

No

Maximum Reverse Leakage Current

200nA

ST’s power-line overvoltage protection devices support applications such as satellite boxes (LNB), high power DC-DC converters, and telecom power rails. The ITA series is optimized for industrial applications, the SLVU and PEP01 for Ethernet or PoE, the STIEC45 series is for DC power rails

Surge current capability up to 500 A

Wide package offering, including multi-line high-power device packages

Devices optimized to support specific applications

The ESDA8P80-1U1M is a unidirectional single line TVS diode designed to protect the power line against EOS and ESD transients. The device is Ideal for applications where high power TVS and board space saving are required

Low clamping voltage

Typical Peak Pulse power:

1100 W (8/20μs)

Stand-off voltage 6.3 V

Unidirectional diode

Low leakage current:

0.2 μA at 25 °C

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