STMicroelectronics TN1605H-6G, Thyristor 600V, 10A 6mA
- N° de stock RS:
- 192-4998P
- Référence fabricant:
- TN1605H-6G
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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|---|---|
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- N° de stock RS:
- 192-4998P
- Référence fabricant:
- TN1605H-6G
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Rated Average On-State Current | 10A | |
| Thyristor Type | SCR | |
| Package Type | D2PAK | |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 600V | |
| Surge Current Rating | 153A | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Maximum Gate Trigger Current | 6mA | |
| Maximum Gate Trigger Voltage | 1.3V | |
| Maximum Holding Current | 20mA | |
| Pin Count | 3 | |
| Dimensions | 10.28 x 9.35 x 4.6mm | |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Rated Average On-State Current 10A | ||
Thyristor Type SCR | ||
Package Type D2PAK | ||
Repetitive Peak Reverse Voltage 600V | ||
Surge Current Rating 153A | ||
Mounting Type Surface Mount | ||
Maximum Gate Trigger Current 6mA | ||
Maximum Gate Trigger Voltage 1.3V | ||
Maximum Holding Current 20mA | ||
Pin Count 3 | ||
Dimensions 10.28 x 9.35 x 4.6mm | ||
Minimum Operating Temperature -40 °C | ||
Maximum Operating Temperature +150 °C | ||
- Pays d'origine :
- CN
Designed with high immunity switching to external surges, this device offers robust switching up to its 150°C maximum Tj. The combination of noise immunity and low gate triggering current allows to design strong and compact control circuit.
High junction temperature: Tj = 150 °C
Gate triggering current IGT = 6 mA
High noise immunity dV/dt = 200 V/μs up to 150 °C
Blocking voltage VDRM/VRRM = 600 V
High turn-on current rise dI/dt: 100 A/μs
Gate triggering current IGT = 6 mA
High noise immunity dV/dt = 200 V/μs up to 150 °C
Blocking voltage VDRM/VRRM = 600 V
High turn-on current rise dI/dt: 100 A/μs