STMicroelectronics STPSC4G065UFY, Diode/Thyristor Module SCR 650V, 4A 4A
- N° de stock RS:
- 609-139
- Référence fabricant:
- STPSC4G065UFY
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 24 | 1,07 € |
| 25 - 99 | 1,04 € |
| 100 - 499 | 1,01 € |
| 500 - 999 | 1,00 € |
| 1000 + | 0,97 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 609-139
- Référence fabricant:
- STPSC4G065UFY
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Rated Average On-State Current | 4A | |
| Thyristor Type | Diode | |
| Package Type | SMB Flat | |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650V | |
| Surge Current Rating | 400A | |
| Current Rating | 4A | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Rated Average On-State Current 4A | ||
Thyristor Type Diode | ||
Package Type SMB Flat | ||
Repetitive Peak Reverse Voltage 650V | ||
Surge Current Rating 400A | ||
Current Rating 4A | ||
- Pays d'origine :
- MA
The STMicroelectronics Automotive 650 V 4A power Schottky High Surge silicon carbide diode is an ultrahigh performance power Schottky rectifier. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a low VF Schottky diode structure with a 650 V rating. Thanks to the Schottky construction, no recovery is shown at turn off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn off behaviour is independent of temperature.
AEC-Q101 qualified and PPAP capable
None or negligible reverse recovery charge in application current range
Switching behaviour independent of temperature
High forward surge capability
ECOPACK2 compliant component
None or negligible reverse recovery charge in application current range
Switching behaviour independent of temperature
High forward surge capability
ECOPACK2 compliant component