Renesas Electronics SRAM, 71V416L10PHGI- 4Mbit
- N° de stock RS:
- 262-8976
- Référence fabricant:
- 71V416L10PHGI
- Fabricant:
- Renesas Electronics
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Unité | Prix par unité | le plateau* |
|---|---|---|
| 135 - 135 | 9,049 € | 1 221,62 € |
| 270 + | 9,037 € | 1 220,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 262-8976
- Référence fabricant:
- 71V416L10PHGI
- Fabricant:
- Renesas Electronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Renesas Electronics | |
| Memory Size | 4Mbit | |
| Organisation | 256K x 16 | |
| Maximum Random Access Time | 15ns | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Renesas Electronics | ||
Memory Size 4Mbit | ||
Organisation 256K x 16 | ||
Maximum Random Access Time 15ns | ||
- Pays d'origine :
- TW
The Renesas Electronics CMOS SRAM is organized as 256K x 16. All bidirectional inputs and outputs of the SRAM are LVTTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.
JEDEC centre power / GND pinout for reduced noise.
One chip select plus one output enable pin
Bidirectional data inputs and outputs directly
Low power consumption via chip deselect
Upper and lower byte enable pins
Single 3.3V power supply
One chip select plus one output enable pin
Bidirectional data inputs and outputs directly
Low power consumption via chip deselect
Upper and lower byte enable pins
Single 3.3V power supply
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