Renesas Electronics SRAM- 4 MB

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N° de stock RS:
262-8976
Référence fabricant:
71V416L10PHGI
Fabricant:
Renesas Electronics
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Marque

Renesas Electronics

Memory Size

4MB

Product Type

SRAM

Organisation

256k x 16

Number of Words

256K

Number of Bits per Word

16

Maximum Random Access Time

15ns

Minimum Supply Voltage

3.3V

Timing Type

Asynchronous

Maximum Supply Voltage

3.3V

Mount Type

Surface

Package Type

SOJ-44

Minimum Operating Temperature

-40°C

Pin Count

48

Maximum Operating Temperature

85°C

Series

IDT71V416

Length

18.41mm

Height

1mm

Standards/Approvals

JEDEC Center Power/GND pinout

Width

10.16 mm

Supply Current

180mA

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
TW
The Renesas Electronics CMOS SRAM is organized as 256K x 16. All bidirectional inputs and outputs of the SRAM are LVTTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.

JEDEC centre power / GND pinout for reduced noise.

One chip select plus one output enable pin

Bidirectional data inputs and outputs directly

Low power consumption via chip deselect

Upper and lower byte enable pins

Single 3.3V power supply

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