Renesas Electronics SRAM, 6116LA25SOGI- 16kB

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N° de stock RS:
262-8968
Référence fabricant:
6116LA25SOGI
Fabricant:
Renesas Electronics
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Marque

Renesas Electronics

Memory Size

16kB

Organisation

2K x 8

Maximum Random Access Time

25ns

Pays d'origine :
TW
The Renesas Electronics CMOS SRAM is organized as 2K x 8. The SRAM offers a reduced power standby mode. The low-power (LA) version also offers a battery backup data retention capability where the circuit typically consumes only 1μW to 4μW operating off a 2V battery. All inputs and outputs are TTL-compatible. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refreshing for operation. Military grade product is available.

Low-power consumption
Battery backup operation 2V data retention voltage
Produced with advanced CMOS high-performance technology
CMOS process virtually eliminates alpha particle soft-error rates
Input and output directly TTL-compatible
No clocks or refresh required

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