Alliance Memory AS4C512M16D3LC-12BIN, SDRAM 8GByte Through Hole, 800MHz, 96-Pin 96-ball FBGA
- N° de stock RS:
- 665-414
- Référence fabricant:
- AS4C512M16D3LC-12BIN
- Fabricant:
- Alliance Memory
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Alliance Memory | |
| Memory Size | 8GByte | |
| Organisation | 512M X 16 | |
| SDRAM Class | DDR3 | |
| Data Rate | 800MHz | |
| Data Bus Width | 16bit | |
| Mounting Type | Through Hole | |
| Package Type | 96-ball FBGA | |
| Pin Count | 96 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Alliance Memory | ||
Memory Size 8GByte | ||
Organisation 512M X 16 | ||
SDRAM Class DDR3 | ||
Data Rate 800MHz | ||
Data Bus Width 16bit | ||
Mounting Type Through Hole | ||
Package Type 96-ball FBGA | ||
Pin Count 96 | ||
- Pays d'origine :
- TW
The Alliance Memory Synchronous DRAM is based on a double data rate architecture to achieve high-speed operation and is internally configured as eight banks. The 8Gb Twin Die DDR3L DRAM uses two 4Gb DDR3L x8 dies combined into a 2-byte x16 device in one package. It is organized as 64Mbit x 16 I/Os across 8 banks and supports double data rate transfer speeds up to 1866 Mb/sec per pin for general applications. The design complies with DDR3L standards, with all control and address inputs synchronized to a pair of externally supplied differential clocks.
Fully synchronous operation
8 internal banks for concurrent operation
Pipelined internal architecture
Precharge and active power down
8 internal banks for concurrent operation
Pipelined internal architecture
Precharge and active power down
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