Toshiba 650V 10A, Schottky Diode, 2-Pin TO-220 TRS10E65C,S1AQ(S

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N° de stock RS:
896-2606
Référence fabricant:
TRS10E65C,S1AQ(S
Fabricant:
Toshiba
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Marque

Toshiba

Mounting Type

Through Hole

Package Type

TO-220

Maximum Continuous Forward Current

10A

Peak Reverse Repetitive Voltage

650V

Diode Configuration

Single

Diode Type

Schottky

Pin Count

2

Maximum Forward Voltage Drop

1.7V

Number of Elements per Chip

1

Diode Technology

SiC Schottky

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

50A

Pays d'origine :
CN

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode, Toshiba


A range of Silicon Carbide (SiC) Schottky barrier diodes from Toshiba suitable for high-efficiency, high speed switching applications.

Low-loss and high-efficiency power conversion
Low leakage current
High-speed switching
Recovery characteristics independent of temperature


Diodes and Rectifiers, Toshiba

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