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Vishay 45 V 8 A Schottky Barrier Rectifier Schottky 2-Pin DO-221BC V8PAL45HM3_A/I

N° de stock RS:: 830-6211
Référence fabricant:: V8PAL45HM3_A/I
Fabricant:: Vishay

Vishay 45 V 8 A Schottky Barrier Rectifier Schottky 2-Pin DO-221BC V8PAL45HM3_A/I

Sous-total (1 paquet de 20 unités)*

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N° de stock RS:: 830-6211
Référence fabricant:: V8PAL45HM3_A/I
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Mount Type	Surface
	Product Type	Schottky Barrier Rectifier
	Package Type	DO-221BC
	Maximum Continuous Forward Current If	8A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	45V
	Diode Configuration	Single
	Series	TMBS SMPATM
	Rectifier Type	Schottky
	Pin Count	2
	Maximum Forward Voltage Vf	570mV
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm	120A
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Peak Reverse Current Ir	1850μA
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Length	4.35mm
	Standards/Approvals	JESD 201 Class 2, JESD22-B102, J-STD-002, J-STD-020, RoHS, UL 94 V-0
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Mount Type Surface
	Product Type Schottky Barrier Rectifier
	Package Type DO-221BC
	Maximum Continuous Forward Current If 8A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 45V
	Diode Configuration Single
	Series TMBS SMPATM
	Rectifier Type Schottky
	Pin Count 2
	Maximum Forward Voltage Vf 570mV
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 120A
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Peak Reverse Current Ir 1850μA
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Length 4.35mm
	Standards/Approvals JESD 201 Class 2, JESD22-B102, J-STD-002, J-STD-020, RoHS, UL 94 V-0
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: CN

TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, Up to 20A, Vishay Semiconductor

The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over Planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above Planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.

Features

Patented Trench Structure

Improved efficiency in AC/DC Switched mode-power supplies and DC/DC converters

High power density and low forward voltage

Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor

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