Références fabricant

Vishay 120 V 40 A Diode Schottky 3-Pin D2PAK V40DM120C-M3/I

N° de stock RS:: 830-6205
Référence fabricant:: V40DM120C-M3/I
Fabricant:: Vishay

Vishay 120 V 40 A Diode Schottky 3-Pin D2PAK V40DM120C-M3/I

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 830-6205
Référence fabricant:: V40DM120C-M3/I
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Mount Type	Surface
	Product Type	Diode
	Package Type	TO-263
	Maximum Continuous Forward Current If	40A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	120V
	Series	V40
	Diode Configuration	Common Cathode
	Rectifier Type	Schottky
	Pin Count	3
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm	250A
	Maximum Forward Voltage Vf	890mV
	Peak Reverse Current Ir	32mA
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.8mm
	Length	10.2mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Mount Type Surface
	Product Type Diode
	Package Type TO-263
	Maximum Continuous Forward Current If 40A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 120V
	Series V40
	Diode Configuration Common Cathode
	Rectifier Type Schottky
	Pin Count 3
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 250A
	Maximum Forward Voltage Vf 890mV
	Peak Reverse Current Ir 32mA
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.8mm
	Length 10.2mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: CN

TMBS - Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers, 30A to 80A, Vishay Semiconductor

The Trench MOS Barrier Schottky (TMBS) Rectifier Series by Vishay contain a patented trench structure. TMBS rectifiers offer several advantages over Planar Schottky rectifiers. At operating voltages of 45V and above Planar Schottky rectifiers can lose their advantage of fast switching speeds and low forward drop to a significant degree. The patented TMBS structure addresses these issues by diminishing minority carrier injections to the drift region, therefore minimising stored charges and improving switching speeds.

Patented Trench Structure

Improved efficiency in AC/DC Switched mode-power supplies and DC/DC converters

High power density and low forward voltage

Features

Schottky Rectifiers, Vishay Semiconductor

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