DiodesZetex 70 V 70 mA Diode Switching 3-Pin SOT-23 BAS70-04-7-F
- N° de stock RS:
- 738-4822
- Référence fabricant:
- BAS70-04-7-F
- Fabricant:
- DiodesZetex
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- N° de stock RS:
- 738-4822
- Référence fabricant:
- BAS70-04-7-F
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Mount Type | Surface | |
| Product Type | Diode | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 70mA | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 70V | |
| Series | BAS70-04 | |
| Diode Configuration | Series | |
| Rectifier Type | Switching | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 100mA | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Peak Reverse Current Ir | 100nA | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Peak Reverse Recovery Time trr | 5ns | |
| Height | 1.1mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Mount Type Surface | ||
Product Type Diode | ||
Package Type SOT-23 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 70mA | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 70V | ||
Series BAS70-04 | ||
Diode Configuration Series | ||
Rectifier Type Switching | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 100mA | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Peak Reverse Current Ir 100nA | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Peak Reverse Recovery Time trr 5ns | ||
Height 1.1mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two Terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.