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Vishay 1200 V 8 A Ultrafast Soft Recovery Diode Recovery 2-Pin TO-247AC VS-HFA08PB120-N3

N° de stock RS:: 708-4670
Référence fabricant:: VS-HFA08PB120-N3
Fabricant:: Vishay

Vishay 1200 V 8 A Ultrafast Soft Recovery Diode Recovery 2-Pin TO-247AC VS-HFA08PB120-N3

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N° de stock RS:: 708-4670
Référence fabricant:: VS-HFA08PB120-N3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Mount Type	Through Hole
	Product Type	Ultrafast Soft Recovery Diode
	Package Type	TO-247AC
	Maximum Continuous Forward Current If	8A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	1200V
	Diode Configuration	Single
	Series	HEXFRED
	Rectifier Type	Recovery
	Pin Count	2
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm	130A
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Peak Reverse Current Ir	10A
	Maximum Forward Voltage Vf	4.3V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Peak Reverse Recovery Time trr	160ns
	Height	20.7mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	15.9mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Mount Type Through Hole
	Product Type Ultrafast Soft Recovery Diode
	Package Type TO-247AC
	Maximum Continuous Forward Current If 8A
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 1200V
	Diode Configuration Single
	Series HEXFRED
	Rectifier Type Recovery
	Pin Count 2
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 130A
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Peak Reverse Current Ir 10A
	Maximum Forward Voltage Vf 4.3V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Peak Reverse Recovery Time trr 160ns
	Height 20.7mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 15.9mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

HEXFRED® Ultrafast Recovery Rectifiers, Vishay Semiconductor

The HEXFRED® range of products from Vishay are ultrafast recovery rectifiers that contain ultrafast Planar technology with a proprietary Schottky barrier based inner structure that enables soft and fast recovery behaviour at any di_F/dt condition. These characteristics mean that HEXFRED® products are well suited for use as a companion diode for IGBTs and MOSFETs.

Features

Ultrafast recovery time

Ultrasoft recovery

Very low I_RRM

Very low Q_rr

Reduced radio frequency interference (RFI) and electromagnetic interference (EMI)

Reduced power loss in diode and switching transistor

Reduced snubbing

Diodes and Rectifiers, Vishay Semiconductor

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