Infineon 4 V 130 mA Diode 3-Pin SOT-323 BAT1704WH6327XTSA1

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N° de stock RS:
261-3926
Référence fabricant:
BAT1704WH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

Diode

Mount Type

Surface

Package Type

SOT-323

Maximum Continuous Forward Current If

130mA

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

4V

Diode Configuration

Series

Series

BAT17-04W

Pin Count

3

Peak Reverse Current Ir

250nA

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Forward Voltage Vf

600mV

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

900μm

Standards/Approvals

JEDEC47/20/22

Width

2mm

Length

2.1mm

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon RF Schottky diodes are silicon low barrier N-type devices with an integrated guard ring on-chip for overvoltage protection. Their low barrier height, small forward voltage and low junction capacitance, make a suitable choice for mixer and detector applications at frequencies as high as 6 GHz.

RoHS compliant and halogen-free

Low capacitance and inductance

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