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Infineon 4 V 110 mA Diode 4-Pin SOT-143 BAT15099RE6327HTSA1

N° de stock RS:: 261-3925
Référence fabricant:: BAT15099RE6327HTSA1
Fabricant:: Infineon

Infineon 4 V 110 mA Diode 4-Pin SOT-143 BAT15099RE6327HTSA1

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N° de stock RS:: 261-3925
Référence fabricant:: BAT15099RE6327HTSA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Mount Type	Surface
	Product Type	Diode
	Package Type	SOT-143
	Maximum Continuous Forward Current If	110mA
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm	4V
	Diode Configuration	Cross Over Ring
	Series	BAT15-099R
	Pin Count	4
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Peak Reverse Current Ir	5μA
	Maximum Forward Voltage Vf	0.32V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Width	2.4mm
	Standards/Approvals	JEDEC47/20/22
	Length	2.9mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Mount Type Surface
	Product Type Diode
	Package Type SOT-143
	Maximum Continuous Forward Current If 110mA
	Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 4V
	Diode Configuration Cross Over Ring
	Series BAT15-099R
	Pin Count 4
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Peak Reverse Current Ir 5μA
	Maximum Forward Voltage Vf 0.32V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Width 2.4mm
	Standards/Approvals JEDEC47/20/22
	Length 2.9mm
	Automotive Standard No

Datasheet - BAT15099RE6327HTSA1

The Infineon RF Schottky diodes are silicon low barrier N-type devices with an integrated guard ring on-chip for over-voltage protection. Their low barrier height, low forward voltage and low junction capacitance make a suitable choice for mixer functions in applications which frequencies are as high as 12 GHz.

RoHS compliant and halogen-free

Low capacitance and inductance

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