Infineon 650 V 20 A Schottky Barrier Diode Schottky 10-Pin D2PAK
- N° de stock RS:
- 244-0894
- Référence fabricant:
- IDDD20G65C6XTMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1700 unités)*
4 097,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1700 + | 2,41 € | 4 097,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 244-0894
- Référence fabricant:
- IDDD20G65C6XTMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Mount Type | Surface | |
| Product Type | Schottky Barrier Diode | |
| Package Type | TO-263 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 20A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Series | IDDD20G65C6 | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 10 | |
| Peak Reverse Current Ir | 2μA | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.25V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 99A | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | JEDEC (J-STD20 and JESD22) | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Mount Type Surface | ||
Product Type Schottky Barrier Diode | ||
Package Type TO-263 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 20A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Series IDDD20G65C6 | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 10 | ||
Peak Reverse Current Ir 2μA | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.25V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 99A | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals JEDEC (J-STD20 and JESD22) | ||
Automotive Standard No | ||
Infineon Technologies introduces Double DPAK (DDPAK), the first top-side cooled surface mount device (SMD) package addressing high power SMPS applications such as PC power, solar, server and telecom. The CoolSiC™ generation 6(G6) is the leading edge technology from Infineon for the SiC Schottky barrier diodes. The Infineon proprietary innovative G5 technology was enhanced in G6 by introducing further advancements like a novel Schottky metal system
Best in class forward voltage (1.25 V)
Best in class figure of merit (Qc x VF)
High dv/dt ruggedness (150 V/ns)
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