Références fabricant

Vishay 60 V 12 A Diode Schottky 2-Pin TO-277 V12PM63HM3/H

N° de stock RS:: 218-6679
Référence fabricant:: V12PM63HM3/H
Fabricant:: Vishay

Vishay 60 V 12 A Diode Schottky 2-Pin TO-277 V12PM63HM3/H

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 218-6679
Référence fabricant:: V12PM63HM3/H
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Peak Reverse Repetitive Voltage (Vrrm)	60 V
	Maximum Continuous Forward Current (If)	12 A
	Product Type	Diode
	Rectifier Type	Schottky
	Pin Count	2
	Package Type	TO-277
	Automotive Standard	AEC-Q101
	Diode Configuration	Single
	Height	1.2 mm
	Length	6.65 mm
	Maximum Forward Voltage (Vf)	650 mV
	Maximum Operating Temperature	175 °C
	Minimum Operating Temperature	-40 °C
	Mount Type	Surface
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current (Ifsm)	200 A
	Peak Reverse Current (Ir)	6 mA
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	4.75 mm

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Peak Reverse Repetitive Voltage (Vrrm) 60 V
	Maximum Continuous Forward Current (If) 12 A
	Product Type Diode
	Rectifier Type Schottky
	Pin Count 2
	Package Type TO-277
	Automotive Standard AEC-Q101
	Diode Configuration Single
	Height 1.2 mm
	Length 6.65 mm
	Maximum Forward Voltage (Vf) 650 mV
	Maximum Operating Temperature 175 °C
	Minimum Operating Temperature -40 °C
	Mount Type Surface
	Peak Non-Repetitive Forward Surge Current (Ifsm) 200 A
	Peak Reverse Current (Ir) 6 mA
	Standards/Approvals RoHS
	Width 4.75 mm

Datasheet-V12PM63HM3/H

The Vishay high current density surface mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) rectifier ultra low VF is 0.43 V at IF is 6 use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection applications.

Very low profile , typical height of 1.1 mm

Ideal for automated placement

Trench MOS Schottky technology

Low forward voltage drop, low power losses

High efficiency operation

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.