ROHM 100 V 2 A Diode Schottky 2-Pin SOD-128 RB068LAM100TFTR
- N° de stock RS:
- 215-9778
- Référence fabricant:
- RB068LAM100TFTR
- Fabricant:
- ROHM
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,408 € | 10,20 € |
| 50 - 75 | 0,40 € | 10,00 € |
| 100 - 225 | 0,238 € | 5,95 € |
| 250 - 975 | 0,232 € | 5,80 € |
| 1000 + | 0,197 € | 4,93 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 215-9778
- Référence fabricant:
- RB068LAM100TFTR
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | Diode | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | SOD-128 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 2A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 100V | |
| Series | RB068LAM100TF | |
| Diode Configuration | Single | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 2 | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 70A | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 0.81V | |
| Peak Reverse Current Ir | 1.5μA | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 0.95mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2.5 mm | |
| Length | 4.7mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type Diode | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type SOD-128 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 2A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 100V | ||
Series RB068LAM100TF | ||
Diode Configuration Single | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 2 | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 70A | ||
Maximum Forward Voltage Vf 0.81V | ||
Peak Reverse Current Ir 1.5μA | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 0.95mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2.5 mm | ||
Length 4.7mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Rohm 100V Schottky barrier diode having silicon epitaxial planar type structure. It has small mold type and mainly used in general rectification application.
High reliability
Super low IR
V schottky barrier diode having silicon epitaxial planar type structure. It has small mold type and mainly used in general rectification application.
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