Vishay 650 V 10 A Diode Schottky 3-Pin TO-220AC 2L VS-C10ET07T-M3
- N° de stock RS:
- 209-8115
- Référence fabricant:
- VS-C10ET07T-M3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 4,24 € | 21,20 € |
| 25 - 45 | 3,602 € | 18,01 € |
| 50 - 120 | 3,434 € | 17,17 € |
| 125 - 245 | 3,18 € | 15,90 € |
| 250 + | 2,926 € | 14,63 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 209-8115
- Référence fabricant:
- VS-C10ET07T-M3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Product Type | Diode | |
| Package Type | TO-220AC 2L | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 10A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 650V | |
| Diode Configuration | Single | |
| Series | VSX | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 3 | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Mount Type Through Hole | ||
Product Type Diode | ||
Package Type TO-220AC 2L | ||
Maximum Continuous Forward Current If 10A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 650V | ||
Diode Configuration Single | ||
Series VSX | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 3 | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay 650 V Power SiC Merged PIN Schottky Diode with forward Current of 10A.
Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material
Positive VF temperature coefficient for easy paralleling
Virtually no recovery tail and no switching losses
Temperature invariant switching behaviour
175 °C maximum operating junction temperature
MPS structure for high ruggedness to forward current surge events
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