STMicroelectronics 650 V 10 A Diode 2-Pin PowerFLAT STPSC10H065DLF

Voir la catégorie

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

19,49 €

(TVA exclue)

23,585 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 435 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 +3,898 €19,49 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
203-3485
Référence fabricant:
STPSC10H065DLF
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Product Type

Diode

Mount Type

Surface

Package Type

PowerFLAT

Maximum Continuous Forward Current If

10A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Diode Configuration

Single

Pin Count

2

Peak Reverse Current Ir

85μA

Maximum Forward Voltage Vf

1.95V

Minimum Operating Temperature

-40°C

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

850A

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

7.9 mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

7.9mm

Height

0.75mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics SiC diode is an ultra-high performance power Schottky diode, manufactured using a silicon carbide substrate. It has a wide band gap material that allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. No recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behaviour is independent of temperature, due to the schottky construction.

Less than 1 mm height package

High creep age package

No or negligible reverse recovery

Temperature independent switching behaviour

High forward surge capability

Very low drop forward voltage

Power efficient product

ECOPACK2 compliant component

Liens connexes