STMicroelectronics 650 V 4 A Diode 2-Pin D2PAK STPSC4H065B-TR

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201-0882P
Référence fabricant:
STPSC4H065B-TR
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Mount Type

Surface

Product Type

Diode

Package Type

TO-263

Maximum Continuous Forward Current If

4A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Diode Configuration

Single

Series

STPSC

Pin Count

2

Peak Reverse Current Ir

35μA

Minimum Operating Temperature

-40°C

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

200A

Maximum Forward Voltage Vf

2.25V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

4.5mm

Standards/Approvals

No

Length

28.25mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics 650V high surge silicon carbide power schottky diode has a current rating of 4A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases. This SiC diode will boost the performance in hard switching condition.

No reverse recovery charge in application current range

Switching behavior independent of temperature

High forward surge capability

Power efficient product

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