STMicroelectronics 650 V 4 A Diode 2-Pin D2PAK STPSC4H065B-TR

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201-0882
Référence fabricant:
STPSC4H065B-TR
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

Diode

Mount Type

Surface

Package Type

TO-263

Maximum Continuous Forward Current If

4A

Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm

650V

Series

STPSC

Diode Configuration

Single

Pin Count

2

Peak Reverse Current Ir

35μA

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm

200A

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Forward Voltage Vf

2.25V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Height

4.5mm

Diameter

3.75 mm

Length

28.25mm

Width

10 mm

Automotive Standard

No

The STMicroelectronics 650V high surge silicon carbide power schottky diode has a current rating of 4A. It is an ultra high performance power schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases. This SiC diode will boost the performance in hard switching condition.

No reverse recovery charge in application current range

Switching behavior independent of temperature

High forward surge capability

Power efficient product

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