Vishay 60 V 30 mA Diode Small Signal 2-Pin SOD-123 SD101AW-E3-08
- N° de stock RS:
- 180-7109
- Référence fabricant:
- SD101AW-E3-08
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 180-7109
- Référence fabricant:
- SD101AW-E3-08
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Diode | |
| Mount Type | Surface | |
| Package Type | SOD-123 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 30mA | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 60V | |
| Diode Configuration | Single | |
| Rectifier Type | Small Signal | |
| Pin Count | 2 | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 1V | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 2A | |
| Peak Reverse Current Ir | 200nA | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Peak Reverse Recovery Time trr | 1ns | |
| Height | 1.15mm | |
| Width | 1.7mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 2.85mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Diode | ||
Mount Type Surface | ||
Package Type SOD-123 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 30mA | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 60V | ||
Diode Configuration Single | ||
Rectifier Type Small Signal | ||
Pin Count 2 | ||
Maximum Forward Voltage Vf 1V | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 2A | ||
Peak Reverse Current Ir 200nA | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Peak Reverse Recovery Time trr 1ns | ||
Height 1.15mm | ||
Width 1.7mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 2.85mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
For general purpose applications
The low forward voltage drop and fast switching make it Ideal for protection of MOS devices, steering, biasing and coupling diodes for fast switching and low logic level applications
The SD101 series is a metal-on-silicon Schottky barrier device which is protected by a PN junction guardring
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