DiodesZetex 40 V 1 A Diode Schottky 2-Pin SOD-323
- N° de stock RS:
- 155-153P
- Référence fabricant:
- ZHCS400TA
- Fabricant:
- DiodesZetex
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 155-153P
- Référence fabricant:
- ZHCS400TA
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Mount Type | Surface | |
| Product Type | Diode | |
| Package Type | SOD-323 | |
| Maximum Continuous Forward Current If | 1A | |
| Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm | 40V | |
| Series | ZHCS400X | |
| Diode Configuration | Single | |
| Rectifier Type | Schottky | |
| Pin Count | 2 | |
| Peak Reverse Current Ir | 40μA | |
| Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm | 6.75A | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Forward Voltage Vf | 500mV | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 1.05mm | |
| Length | 1.8mm | |
| Standards/Approvals | FBI | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Mount Type Surface | ||
Product Type Diode | ||
Package Type SOD-323 | ||
Maximum Continuous Forward Current If 1A | ||
Peak Reverse Repetitive Voltage Vrrm 40V | ||
Series ZHCS400X | ||
Diode Configuration Single | ||
Rectifier Type Schottky | ||
Pin Count 2 | ||
Peak Reverse Current Ir 40μA | ||
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current Ifsm 6.75A | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Forward Voltage Vf 500mV | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 1.05mm | ||
Length 1.8mm | ||
Standards/Approvals FBI | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.