Références fabricant

Renesas Electronics PS2833-1-F3-A DC Input Photocoupler, Surface, 4-Pin SSOP

N° de stock RS:: 234-7091
Référence fabricant:: PS2833-1-F3-A
Fabricant:: Renesas Electronics

Renesas Electronics PS2833-1-F3-A DC Input Photocoupler, Surface, 4-Pin SSOP

Sous-total (1 bobine de 3500 unités)*

2 908,50 €

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3 521,00 €

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3500 +	0,831 €	2 908,50 €

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N° de stock RS:: 234-7091
Référence fabricant:: PS2833-1-F3-A
Fabricant:: Renesas Electronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Renesas Electronics
	Product Type	Photocoupler
	Mount Type	Surface
	Maximum Forward Voltage	1.4V
	Packaging	Tape
	Number of Channels	1
	Number of Pins	4
	Package Type	SSOP
	Input Current Type	DC
	Maximum Input Current	50mA
	Isolation Voltage	2500Vrms
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Current Transfer Ratio	2000%
	Maximum Operating Temperature	100°C
	Standards/Approvals	VDE Approved:DIN EN 60747-5-5, Basic insulation, UL Approved:UL1577, Single protection, CSA:CAN/CSA-C22.2 No. 62368-1
	Typical Fall Time	5μs
	Minimum Current Transfer Ratio	400%
	Series	PS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Renesas Electronics
	Product Type Photocoupler
	Mount Type Surface
	Maximum Forward Voltage 1.4V
	Packaging Tape
	Number of Channels 1
	Number of Pins 4
	Package Type SSOP
	Input Current Type DC
	Maximum Input Current 50mA
	Isolation Voltage 2500Vrms
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Current Transfer Ratio 2000%
	Maximum Operating Temperature 100°C
	Standards/Approvals VDE Approved:DIN EN 60747-5-5, Basic insulation, UL Approved:UL1577, Single protection, CSA:CAN/CSA-C22.2 No. 62368-1
	Typical Fall Time 5μs
	Minimum Current Transfer Ratio 400%
	Series PS
	Automotive Standard No

Datasheet - PS2833-1-F3-A

The Renesas Electronics optically coupled isolators containing a GaAs light emitting diode and an NPN silicon darlington connected phototransistor. The package is a shrink SOP type for high density mounting applications.

High isolation voltage

High collector to emitter voltage

High current transfer ratio

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