Renesas Electronics PS2561DL-1Y-A DC Input Photocoupler, Surface, 4-Pin Gull Wing
- N° de stock RS:
- 234-7074
- Référence fabricant:
- PS2561DL-1Y-A
- Fabricant:
- Renesas Electronics
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,554 € | 13,85 € |
| 50 - 50 | 0,542 € | 13,55 € |
| 75 - 75 | 0,532 € | 13,30 € |
| 100 - 175 | 0,366 € | 9,15 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 234-7074
- Référence fabricant:
- PS2561DL-1Y-A
- Fabricant:
- Renesas Electronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Renesas Electronics | |
| Product Type | Photocoupler | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Forward Voltage | 1.4V | |
| Number of Channels | 1 | |
| Packaging | Magazine | |
| Number of Pins | 4 | |
| Package Type | Gull Wing | |
| Input Current Type | DC | |
| Typical Rise Time | 3μs | |
| Maximum Input Current | 400mA | |
| Isolation Voltage | 5000Vrms | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 110°C | |
| Maximum Current Transfer Ratio | 400% | |
| Standards/Approvals | EN, CSA, UL | |
| Typical Fall Time | 5μs | |
| Minimum Current Transfer Ratio | 50% | |
| Series | PS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Renesas Electronics | ||
Product Type Photocoupler | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Forward Voltage 1.4V | ||
Number of Channels 1 | ||
Packaging Magazine | ||
Number of Pins 4 | ||
Package Type Gull Wing | ||
Input Current Type DC | ||
Typical Rise Time 3μs | ||
Maximum Input Current 400mA | ||
Isolation Voltage 5000Vrms | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 110°C | ||
Maximum Current Transfer Ratio 400% | ||
Standards/Approvals EN, CSA, UL | ||
Typical Fall Time 5μs | ||
Minimum Current Transfer Ratio 50% | ||
Series PS | ||
Automotive Standard No | ||
The Renesas Electronics optically coupled isolator containing a GaAs light emitting diode and an NPN silicon phototransistor. It has high isolation voltage.
Operating ambient temperature of 110°C
High collector to emitter voltage
High current transfer ratio
High-speed switching
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