N-Channel MOSFET, 62 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba TK62J60W,S1VQ(O

N° de stock RS:: 827-6246P
Référence fabricant:: TK62J60W,S1VQ(O
Fabricant:: Toshiba

N-Channel MOSFET, 62 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba TK62J60W,S1VQ(O

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N° de stock RS:: 827-6246P
Référence fabricant:: TK62J60W,S1VQ(O
Fabricant:: Toshiba

TK62J60W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	62 A
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Package Type	TO-3PN
Series	TK
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	40 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	3.7V
Maximum Power Dissipation	400 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Transistor Material	Si
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	4.5mm
Length	15.5mm
Typical Gate Charge @ Vgs	180 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip	1
Height	20mm

N-Channel MOSFET, 62 A, 600 V, 3-Pin TO-3PN Toshiba TK62J60W,S1VQ(O

MOSFET N-Channel, TK6 & TK7 Series, Toshiba