Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Vishay SQ4920EY-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 787-9462
- Référence fabricant:
- SQ4920EY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
En cours d'approvisionnement - expédition le 09/09/2024, livraison sous 4 jour(s)
Ajouté
Prix L'unité (sur un ruban de 5)
1,504 €
(TVA exclue)
1,82 €
(TVA incluse)
| Unité | Prix par unité | Per Tape* |
| 5 - 45 | 1,504 € | 7,52 € |
| 50 - 120 | 1,416 € | 7,08 € |
| 125 - 245 | 1,276 € | 6,38 € |
| 250 - 495 | 1,204 € | 6,02 € |
| 500 + | 1,126 € | 5,63 € |
| *prix conseillé | ||
- N° de stock RS:
- 787-9462
- Référence fabricant:
- SQ4920EY-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Législations et de normes
Détails du produit
Dual N-Channel MOSFET, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Spécifications
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Package Type | SOIC |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 8 |
| Maximum Drain Source Resistance | 17.5 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Power Dissipation | 4.4 W |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Width | 4mm |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Transistor Material | Si |
| Length | 5mm |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.7 nC @ 10 V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 1.5mm |