Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc DMG4800LSD-13

N° de stock RS:: 751-4109P
Référence fabricant:: DMG4800LSD-13
Fabricant:: DiodesZetex

Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc DMG4800LSD-13

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Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	7.5 A
Maximum Drain Source Voltage	30 V
Package Type	SOIC
Mounting Type	Surface Mount
Pin Count	8
Maximum Drain Source Resistance	22 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	1.6V
Maximum Power Dissipation	1.5 W
Transistor Configuration	Isolated
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Number of Elements per Chip	2
Length	4.95mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Width	3.95mm
Typical Gate Charge @ Vgs	8.56 nC @ 5 V
Transistor Material	Si
Height	1.5mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

Dual N-Channel MOSFET, 7.5 A, 30 V, 8-Pin SOIC Diodes Inc DMG4800LSD-13

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.