- N° de stock RS:
- 261-5961P
- Référence fabricant:
- 2SK1317-E
- Fabricant:
- Renesas Electronics
En cours d'approvisionnement - expédition le 10/09/2024, livraison sous 4 jour(s)
Ajouté
Prix l'unité (conditionné en tube)
5,94 €
(TVA exclue)
7,19 €
(TVA incluse)
Unité | Prix par unité |
5 - 9 | 5,94 € |
10 - 29 | 5,49 € |
30 - 249 | 4,53 € |
250 + | 3,94 € |
- N° de stock RS:
- 261-5961P
- Référence fabricant:
- 2SK1317-E
- Fabricant:
- Renesas Electronics
Documentation technique
Législations et de normes
- Pays d'origine :
- MY
Détails du produit
The Renesas 2SK1317-E N-Channel is a high speed power switching MOSFET. The silicon N-Channel MOSFET has a low drive current and high breakdown voltage i.e(Vdss=1500 V).It is suitable for switching regulator, DC-DC converter and motor driver.
Operating temperature(max)= 150 °C
Maximum power dissipation= 100 W
Maximum gate threshold voltage= 4 V
Maximum power dissipation= 100 W
Maximum gate threshold voltage= 4 V
Spécifications
Attribut | Valeur |
---|---|
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 7 A |
Maximum Drain Source Voltage | 1500 V |
Series | 2SK1317 |
Package Type | SC-65 |
Pin Count | 3 |
Maximum Drain Source Resistance | 12 Ω |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
Number of Elements per Chip | 1 |
Transistor Material | Si |
- N° de stock RS:
- 261-5961P
- Référence fabricant:
- 2SK1317-E
- Fabricant:
- Renesas Electronics