Silicon N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V, 4-Pin LFPAK, SOT-669 Renesas RJK0656DPB-00#J5
- N° de stock RS:
- 234-7157P
- Référence fabricant:
- RJK0656DPB-00#J5
- Fabricant:
- Renesas Electronics
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| Unité | Prix par unité |
| 50 - 95 | 1,824 € |
| 100 - 245 | 1,552 € |
| 250 - 995 | 1,516 € |
| 1000 + | 1,332 € |
- N° de stock RS:
- 234-7157P
- Référence fabricant:
- RJK0656DPB-00#J5
- Fabricant:
- Renesas Electronics
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
The Renesas Electronics N-channel single power MOSFET suitable for switching and load switch applications. It has high breakdown voltage of 60 V. It is capable of 4.5 V gate drive.
High speed switching
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
Pb-free
Halogen-free
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
Pb-free
Halogen-free
Spécifications
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Package Type | LFPAK, SOT-669 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 4 |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0056 Ω |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Transistor Material | Silicon |
- N° de stock RS:
- 234-7157P
- Référence fabricant:
- RJK0656DPB-00#J5
- Fabricant:
- Renesas Electronics