- N° de stock RS:
- 121-6898P
- Référence fabricant:
- RJK6012DPP-E0#T2
- Fabricant:
- Renesas Electronics
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Unité | Prix par unité |
10 - 18 | 2,165 € |
20 - 98 | 1,95 € |
100 - 198 | 1,805 € |
200 + | 1,705 € |
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- 121-6898P
- Référence fabricant:
- RJK6012DPP-E0#T2
- Fabricant:
- Renesas Electronics
Documentation technique
Législations et de normes
- Pays d'origine :
- KR
Détails du produit
N-Channel High Voltage MOSFETs 150V and Over, Renesas Electronics
MOSFET Transistors, Renesas Electronics (NEC)
Spécifications
Attribut | Valeur |
---|---|
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Package Type | TO-220FP |
Mounting Type | Through Hole |
Pin Count | 3 |
Maximum Drain Source Resistance | 920 mΩ |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Power Dissipation | 30 W |
Transistor Configuration | Single |
Maximum Gate Source Voltage | +30 V |
Width | 4.7mm |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Typical Gate Charge @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
Transistor Material | Si |
Length | 10.16mm |
Height | 15.87mm |
Forward Diode Voltage | 1.5V |
- N° de stock RS:
- 121-6898P
- Référence fabricant:
- RJK6012DPP-E0#T2
- Fabricant:
- Renesas Electronics