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STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 29 A 600 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

N° de stock RS:: 877-2873P
Référence fabricant:: STGF10NB60SD
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 29 A 600 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

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N° de stock RS:: 877-2873P
Référence fabricant:: STGF10NB60SD
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	29A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	80W
	Package Type	TO-220FP
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	3.8μs
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	1.75V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	±20 V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Series	Low Drop
	Height	10.4mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	30.6mm
	Energy Rating	8mJ
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 29A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 80W
	Package Type TO-220FP
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 3.8μs
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 1.75V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO ±20 V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Series Low Drop
	Height 10.4mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 30.6mm
	Energy Rating 8mJ
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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