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STMicroelectronics STGF14NC60KD, Type N-Channel IGBT, 11 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

N° de stock RS:: 795-9072P
Référence fabricant:: STGF14NC60KD
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STGF14NC60KD, Type N-Channel IGBT, 11 A 600 V, 3-Pin TO-220, Through Hole

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N° de stock RS:: 795-9072P
Référence fabricant:: STGF14NC60KD
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	11A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	28W
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.5V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.4mm
	Height	16.4mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 11A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 28W
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.5V
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.4mm
	Height 16.4mm
	Automotive Standard No

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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