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STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 7 A 600 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

N° de stock RS:: 795-8981P
Référence fabricant:: STGF6NC60HD
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 7 A 600 V, 3-Pin TO-220FP, Through Hole

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N° de stock RS:: 795-8981P
Référence fabricant:: STGF6NC60HD
Fabricant:: STMicroelectronics

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic	7A
	Product Type	IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	56W
	Package Type	TO-220FP
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.5V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	16.4mm
	Standards/Approvals	JEDEC JESD97
	Series	Powermesh
	Length	10.4mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Maximum Continuous Collector Current Ic 7A
	Product Type IGBT
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 56W
	Package Type TO-220FP
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.5V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 16.4mm
	Standards/Approvals JEDEC JESD97
	Series Powermesh
	Length 10.4mm
	Automotive Standard No

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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