STMicroelectronics STGB10NC60HDT4 IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

10,44 €

(TVA exclue)

12,63 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 120 unité(s) prête(s) à être expédiée(s)
  • Plus 410 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 202,088 €10,44 €
25 - 451,984 €9,92 €
50 - 1201,788 €8,94 €
125 - 2451,604 €8,02 €
250 +1,526 €7,63 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
795-7041
Référence fabricant:
STGB10NC60HDT4
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

10 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

65 W

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

10.4 x 9.35 x 4.6mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+150 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes