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STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 120 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

N° de stock RS:: 792-5827P
Référence fabricant:: STGW80V60DF
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics, Type N-Channel IGBT, 120 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

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N° de stock RS:: 792-5827P
Référence fabricant:: STGW80V60DF
Fabricant:: STMicroelectronics

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Product Type	IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic	120A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo	600V
	Maximum Power Dissipation Pd	469W
	Package Type	TO-247
	Mount Type	Through Hole
	Channel Type	Type N
	Pin Count	3
	Switching Speed	1MHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO	20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT	2.3V
	Minimum Operating Temperature	-40°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Series	Trench Gate Field Stop
	Height	20.15mm
	Length	15.75mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

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	Marque STMicroelectronics
	Product Type IGBT
	Maximum Continuous Collector Current Ic 120A
	Maximum Collector Emitter Voltage Vceo 600V
	Maximum Power Dissipation Pd 469W
	Package Type TO-247
	Mount Type Through Hole
	Channel Type Type N
	Pin Count 3
	Switching Speed 1MHz
	Maximum Gate Emitter Voltage VGEO 20 V
	Maximum Collector Emitter Saturation Voltage VceSAT 2.3V
	Minimum Operating Temperature -40°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Series Trench Gate Field Stop
	Height 20.15mm
	Length 15.75mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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