STMicroelectronics STGW80V60DF IGBT, 120 A 600 V, 3-Pin TO-247, Through Hole

Voir l’ensemble des IGBTs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 unité)*

4,46 €

(TVA exclue)

5,40 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 412 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
1 - 14,46 €
2 +4,24 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
792-5827
Référence fabricant:
STGW80V60DF
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

120 A

Maximum Collector Emitter Voltage

600 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

469 W

Package Type

TO-247

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.75 x 5.15 x 20.15mm

Minimum Operating Temperature

-40 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

IGBT Discretes, STMicroelectronics



IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Liens connexes